俄罗斯宣布自研EUV光刻机:比ASML更便宜、更容易制造!
12月19日消息,俄罗据报道,斯宣俄罗斯已公布自主开发EUV(极紫外光刻)光刻机的布自路线图,目标是研E宜更比ASML的光刻机更便宜、更容易制造。光刻更便
据悉,机比俄罗斯的容易自主光刻机采用11.2nm的激光光源,而非ASML标准的制造13.5nm。这种波长将与现有的俄罗EUV设备不兼容,需要俄罗斯开发自己的斯宣光刻生态系统,这可能需要十年或更长时间。布自
包括电子设计自动化(EDA)工具也需要进行更新。研E宜更虽然现有EDA工具仍可完成逻辑合成、光刻更便布局和路由等基本步骤,机比但涉及曝光的容易关键制程,如光罩数据准备、光学邻近校正(OPC)和分辨率增强技术(RET),则需要重新校准或升级为适合11.2nm的新制程模型。
该项目计划由俄罗斯科学院微结构物理研究所的Nikolay Chkhalo领导,目的是制造性能具竞争力且具成本优势的EUV光刻机,以对抗ASML的设备。
Chkhalo 表示,11.2nm波长的分辨率提高了20%,可以提供更精细的细节,同时简化设计并降低光学元件的成本。
这种调整显著减少了光学元件的污染,延长了收集器和保护膜等关键部件的使用寿命。
俄罗斯的光刻机还可使用硅基光阻剂,预期在较短波长下将具备更出色的性能表现。 尽管该光刻机产量仅为ASML设备的37%,因为其光源功率仅3.6千瓦,但性能足以应付小规模芯片生产需求。
据报道,俄罗斯光刻机的开发工作将分为三个阶段,第一阶段将聚焦于基础研究、关键技术识别与初步元件测试。
第二阶段将制造每小时可处理60片200毫米晶圆的原型机,并整合至国内芯片生产线。
第三阶段的目标是打造一套可供工厂使用的系统,每小时可处理60片300毫米晶圆。
目前还不清楚其光刻机将支持哪些制程技术,路线图也未提到各阶段完成的时间表。
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